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SIHP35N60E-GE3

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Numero di parte SIHP35N60E-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Scheda dati

SIHP35N60E-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche SIHP35N60E-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieE
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C32A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs132nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2760pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs94 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3 Packaging

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Packing
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SIHP35N60E-GE3 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that SIHP35N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHP35N60E-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHP35N60E-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHP35N60E-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIHP35N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIHP35N60E-GE3?
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