Name: SIHW30N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHW30N60E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (118 reviews)

SIHW30N60E-GE3

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Numero di parte	SIHW30N60E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
Scheda dati	SIHW30N60E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-3P-3 Full Pack
ECAD
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Specifiche SIHW30N60E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-3P-3 Full Pack
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD
Pacchetto / caso	TO-3P-3 Full Pack

Scheda tecnica SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3 Packaging

SIHW30N60E-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIHW30N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SIHW30N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin TO-247AD - Tape and Reel (Alt: SIHW30N60E-GE3)

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Vishay Intertechnologies

500

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SIHW30N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AD-3

2990

Numero di parte

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SIHW30N60E-GE3

D# SIHW30N60E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD

161

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VBsemi Electronics Co Ltd

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TO-247/SIHW30N60E-GE3/Vishay Siliconix

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D# NS-SIHW30N60E-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

3619

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OEM/CM ONLY

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29985

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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