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| Numero di parte | SIHW61N65EF-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.120 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| Serie | E |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 371nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7407pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 30.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
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501BCA-ACAG | Silicon Labs, OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM, 4-SMD, No Lead, E | Visualizza |
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416F52013IAT | CTS-Frequency Controls, CRYSTAL 52.000 MHZ 10PF SMT, 4-SMD, No Lead, E | Visualizza |
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0805Y5000182JXR | Knowles Syfer, CAP CER 0805, 0805 (2012 Metric), E | Visualizza |
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DZ23C7V5-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, E | Visualizza |
 
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LMH6321MR | Texas Instruments, IC OPAMP BUFFER 110MHZ 8SOPWRPAD, 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width), E | Visualizza |
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SSM2305CPZ-REEL7 | Analog Devices Inc., IC AMP AUDIO 2.8W MONO D 8LFCSP, 8-WFDFN Exposed Pad, CSP, E | Visualizza |
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RN65D9313FB14 | Vishay Dale, RES 931K OHM 1/2W 1% AXIAL, Axial, E | Visualizza |
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CRCW060364K9DKEAP | Vishay Dale, RES SMD 64.9KOHM 0.5% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), E | Visualizza |
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RLP73M2BR033JTD | TE Connectivity Passive Product, RES SMD 0.033 OHM 5% 1/2W 1206, 1206 (3216 Metric), E | Visualizza |
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AIUR-03-1R0M | Abracon LLC, FIXED IND 1UH 3.5A 13 MOHM TH, Radial, E | Visualizza |
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EJH-113-01-F-D-SM-LC-13-P | Samtec Inc., .100 X .100 EJECTOR HEADER ASSEM, -, E | Visualizza |
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CN0967C24S57S9Y240 | Cinch Connectivity Solutions, CONN RCPT FMALE 57POS GOLD CRIMP, -, E | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHW61N65EF-GE3 D# V99:2348_17597473 |
Vishay Intertechnologies |
SIHW61N65EF-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD - Arrow.com RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHW61N65EF-GE3 D# SIHW61N65EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power MOSFET N-Channel 650V 64A 3-Pin TO-247AD - Tape and Reel (Alt: SIHW61N65EF-GE3) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHW61N65EF-GE3 D# SIHW61N65EF-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power MOSFET N-Channel 650V 64A 3-Pin TO-247AD (Alt: SIHW61N65EF-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHW61N65EF-GE3 D# SIHW61N65EF-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD |
20 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHW61N65EFGE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
24 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHW61N65EFGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
115 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHW61N65EF-GE3 D# 25903648 |
Vishay Intertechnologies |
SIHW61N65EF-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD - Arrow.com RoHS: Compliant
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+86-755-83210559 ext. 814
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