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| Numero di parte | SIJ470DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| A magazzino | 28.962 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| Serie | ThunderFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SO-8 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 D# V36:1790_09216132 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 58.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 D# SIJ470DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIJ470DP-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 D# SIJ470DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SIJ470DP-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 D# SIJ470DP-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8 |
179 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 100 V 9.1 mOhm 56.8 W SMT ThunderFET Mosfet - PowerPAK SO-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
6000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
7140 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 D# 78-SIJ470DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH RoHS: Compliant
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3157 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 D# XSFP00000206942 |
Vishay Siliconix |
N-Channel 100 V 9.1 mOhm 56.8 W SMT ThunderFET Mosfet - PowerPAK SO-8 |
6000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 D# NS-SIJ470DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5684 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
8958 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIJ470DP-T1-GE3 D# 51358058 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 58.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R RoHS: Compliant
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0 |
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