* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | SIR812DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| A magazzino | 51.420 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | gen 11 - gen 16 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 335nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10240pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SO-8 |
|
ABM10AIG-24.000MHZ-4-T3 | Abracon LLC, CRYSTAL 24MHZ 10PF SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchFET? | Visualizza |
|
C324C273F2G5TA | KEMET, CAP CER 0.027UF 200V C0G RADIAL, Radial, TrenchFET? | Visualizza |
|
0603J0636P80BCT | Knowles Syfer, CAP CER 6.8PF 63V C0G/NP0 0603, 0603 (1608 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
|
U215TZQE | C&K, SWITCH TOGGLE SP3T 5A 120V, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
CRCW2010620RFKEF | Vishay Dale, RES SMD 620 OHM 1% 3/4W 2010, 2010 (5025 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
RMCF1206JT2M70 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 2.7M OHM 5% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
|
160-10-950-00-001000 | Mill-Max Manufacturing Corp., HEADER OPEN SLOTTED .900 50POS, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
DW-05-12-F-S-744 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
1731100067 | Molex, LLC, CONN D-SUB PLUG 50P PNL MNT SLDR, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
PT08CE-12-8P(SR) | Amphenol Industrial Operations, CONN PLUG 8POS INLINE PIN RA, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
CN0967C28S42P7-240 | Cinch Connectivity Solutions, CONN RCPT MALE 42POS GOLD CRIMP, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
VE-25Z-IW-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W, Full Brick, TrenchFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 D# V72:2272_09216018 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8 |
2519 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 30V 60A 2.3V @ 250uA 1.45mohms @ 20A,10V 6.25W PowerPAK SO-8 MOSFET RoHS |
27 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 D# SIR812DP-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 D# 2283689 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Each
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
243 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 D# 78-SIR812DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V RoHS: Compliant
|
2830 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
220 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
1977 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 D# 34831193 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
2938 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR812DP-T1-GE3 D# 2283689 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SIR812DP-T1-GE3?
+86-755-83210559 ext. 803
Scansiona per visualizzare questa pagina
