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| Numero di parte | SIR882DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 114.066 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1930pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SO-8 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 D# V72:2272_09216058 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 D# SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR882DP-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8 |
1469 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 D# SIR882DP-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
1196 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 D# 1859000RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DPT1GE3 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5950 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 D# 78-SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts RoHS: Compliant
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13625 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 D# 94T2661 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 100V, 60A, POWERPAK SO-8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:60A, On Resistance Rds(on):0.0071ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 D# NS-SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
21017 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 60A I(D), 100V, 0.0087OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
32 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3108 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIR882DP-T1-GE3 D# 45527400 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
0 |
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86-755-83210559-841
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