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| Numero di parte | SIS413DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.512 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4280pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# 70459589 |
Vishay Siliconix |
-30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III RoHS: Not Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# V72:2272_07431901 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 - Tape and Reel (Alt: SIS413DN-T1-GE3) RoHS: Not Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 (Alt: SIS413DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 (Alt: SIS413DN-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel 30V 18A(Tc) 2.5V @ 250uA 9.4mohms @ 15A,10V 52W(Tc) PowerPAK 1212-8 MOSFET RoHS |
8285 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# SIS413DN-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 |
106082 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
33525 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# 2646403 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -30V, -18A, POWERPAK 1212 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single P-Channel -30 V 52 W 110 nC TrenchMOS Surface Mount Mosfet RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DNT1GE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
24990 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# C145006 |
Vishay Intertechnologies | 8225 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# 78-SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 RoHS: Compliant
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189 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# 70AC6482 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -30V, -18A, POWERPAK 1212, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:18A, On Resistance Rds(on):0.0076ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# NS-SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9912 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# 1807359 |
Vishay Intertechnologies |
P-Ch PowerPAK1212 Cu 30V 9.4mohm@10V, RL Min Qty: 3000
Container: Reel
|
2400 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
3015 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
301 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 |
1392 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS413DN-T1-GE3 D# 2679713 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P-CH, -30V, -18A, POWERPAK 1212 RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
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0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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