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| Numero di parte | SIS430DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 31.104 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 12.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8 |
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1812Y1000101KCT | Knowles Syfer, CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
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C335C102KAG5TA7301 | KEMET, CAP CER 1000PF 250V C0G RADIAL, Radial, TrenchFET? | Visualizza |
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MKJ3B7F8-13SN | ITT Cannon, LLC, CONN RCPT 13POS JAM NUT W/SKTS, -, TrenchFET? | Visualizza |
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MS27656T19B35PB | Souriau, CONN RCPT 66POS WALL MNT W/PINS, -, TrenchFET? | Visualizza |
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983-0S18-14S6-L | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSG FMALE 14POS PNL MT, -, TrenchFET? | Visualizza |
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MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc., IC FRAM 256K SPI 33MHZ 8SOP, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 D# 70616571 |
Vishay Siliconix |
SIS430DN-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 21 A, 25 V, 8-Pin PowePAK 1212 RoHS: Not Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 1899 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 D# SIS430DN-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
2940 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
42915 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
2940 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 D# NS-SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9283 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 D# 8141308 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 8-Pin PowePAK 1212 Vishay SIS430DN-T1-GE3, TA Min Qty: 10
Container: Ammo Pack
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3803 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DNT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
39079 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
2955 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS430DN-T1-GE3 |
NCTNUVOTON |
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468 |
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86-755-83210559-802
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