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| Numero di parte | SIS888DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8S |
| ECAD |
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| A magazzino | 23.850 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8S |
| ECAD |
|
| Serie | ThunderFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 75V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8S (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8S |
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SIT9122AI-1DF-33E500.000000Y | SiTime, OSC MEMS 500.0000MHZ LVPECL SMD, 6-SMD, No Lead, ThunderFET? | Visualizza |
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B32522C3334K000 | EPCOS (TDK), CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD, Radial, ThunderFET? | Visualizza |
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SY89823LHG | Microchip Technology, IC CLK BUFFER 2:22 500MHZ 64TQFP, 64-TQFP Exposed Pad, ThunderFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 D# V36:1790_09215527 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 20.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 D# SIS888DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.3A 8-Pin PowerPAK - Tape and Reel (Alt: SIS888DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 D# SIS888DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.3A 8-Pin PowerPAK (Alt: SIS888DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 D# 742-SIS888DN-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK |
3110 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DNT1GE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
21826 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 D# 781-SIS888DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S RoHS: Compliant
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3689 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3095 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
21811 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIS888DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
21849 |
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