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SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

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Numero di parte SISC29N20DX1SA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione TRANSISTOR P-CH BARE DIE
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche SISC29N20DX1SA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

SISC29N20DX1SA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SISC29N20DX1SA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SISC29N20DX1SA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SISC29N20DX1SA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SISC29N20DX1SA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SISC29N20DX1SA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SISC29N20DX1SA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SISC29N20DX1SA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Infineon Technologies AG

TRANSISTOR P-CH BARE DIE - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film (Alt: SISC29N20DX1SA1)

RoHS: Compliant
0
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