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| Numero di parte | SISS10DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 29.976 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8S (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 D# V72:2272_17583088 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 D# SISS10DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SISS10DN-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 D# SISS10DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SISS10DN-T1-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 D# SISS10DN-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S |
5277 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 40 V 2.65 mOhm 57 W TrenchFET Gen IV Mosfet - PowerPAK 1212-8S RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S RoHS: Compliant
|
13153 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 D# 78-SISS10DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S RoHS: Compliant
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7677 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 D# XSFP00000194481 |
Vishay Siliconix |
N-Channel 40 V 2.65 mOhm 57 W TrenchFET Gen IV Mosfet - PowerPAK 1212-8S |
6000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 D# 20AC3911 |
Vishay Intertechnologies |
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET RoHS: Not Compliant
Min Qty: 6000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
6016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SISS10DN-T1-GE3 D# 36306282 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R RoHS: Compliant
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0 |
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+86-755-83210559 ext. 887
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