Name: SIZ730DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ730DT-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (156 reviews)

SIZ730DT-T1-GE3

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Numero di parte	SIZ730DT-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Scheda dati	SIZ730DT-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	6-PowerPair?
ECAD
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Specifiche SIZ730DT-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	6-PowerPair?
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 15V
Potenza - Max	27W, 48W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-PowerPair?
Pacchetto dispositivo fornitore	6-PowerPair?

Scheda tecnica SIZ730DT-T1-GE3

SIZ730DT-T1-GE3 Packaging

SIZ730DT-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIZ730DT-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SIZ730DT-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Intertechnologies

5900

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D# NS-SIZ730DT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 35A I(D), 30V, 0.0053OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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