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SP8K3FU6TB

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Numero di parte SP8K3FU6TB
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Scheda dati

SP8K3FU6TB Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SP8K3FU6TB

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

Scheda tecnica SP8K3FU6TB

SP8K3FU6TB Packaging

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Sealing
Packing
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SP8K3FU6TB FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SP8K3FU6TB is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SP8K3FU6TB. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SP8K3FU6TB on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SP8K3FU6TB products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SP8K3FU6TB price and inventory displayed accurate?
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MOSFET

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MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

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MOSFET, DUAL, NN, 30V, 3.5A

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