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SPB100N03S2-03 G

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SPB100N03S2-03 G

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Numero di parte SPB100N03S2-03 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Scheda dati

SPB100N03S2-03 G Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SPB100N03S2-03 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7020pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SPB100N03S2-03 G

SPB100N03S2-03 G Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SPB100N03S2-03 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SPB100N03S2-03 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SPB100N03S2-03 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SPB100N03S2-03 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SPB100N03S2-03 G price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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