Name: SPB100N03S203T
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB100N03S203T
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

SPB100N03S203T

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Numero di parte	SPB100N03S203T
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Scheda dati	SPB100N03S203T Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SPB100N03S203T

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7020pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SPB100N03S203T

SPB100N03S203T Packaging

SPB100N03S203T FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SPB100N03S203T we delivered, we will accept the replacement or return of the SPB100N03S203T only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SPB100N03S203T.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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4000

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D# SPB100N03S203XTINCT-ND

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