Name: SPD14N06S2-80
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD14N06S2-80
Availability: InStock
Rating: 5 (194 reviews)

SPD14N06S2-80

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Numero di parte	SPD14N06S2-80
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Scheda dati	SPD14N06S2-80 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SPD14N06S2-80

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	P-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SPD14N06S2-80

SPD14N06S2-80 Packaging

SPD14N06S2-80 FAQ

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3. Are the SPD14N06S2-80 price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SPD14N06S2-80

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

RoHS: Not Compliant

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D# SPD14N06S2-80-ND

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MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

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VBsemi Electronics Co Ltd

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