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SPD30N03S2L07T

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SPD30N03S2L07T

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Numero di parte SPD30N03S2L07T
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Scheda dati

SPD30N03S2L07T Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SPD30N03S2L07T

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2530pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SPD30N03S2L07T

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  • 2. How does Heisener guarantee that SPD30N03S2L07T is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SPD30N03S2L07T price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SPD30N03S2L07T?
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