| Numero di parte | SPI35N10 |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.792 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Serie | SIPMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 26.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPI35N10 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPI35N10 D# SPI35N10-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPI35N10 D# NS-SPI35N10 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
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