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SPP11N65C3XKSA1

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SPP11N65C3XKSA1

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Numero di parte SPP11N65C3XKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Scheda dati

SPP11N65C3XKSA1 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche SPP11N65C3XKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-3-1
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica SPP11N65C3XKSA1

SPP11N65C3XKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SPP11N65C3XKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SPP11N65C3XKSA1 price and inventory displayed accurate?
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