| Numero di parte | SPW17N80C3A |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.192 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2320pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPW17N80C3A |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPW17N80C3A D# SPW17N80C3A-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPW17N80C3A |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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1000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPW17N80C3A |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
36 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SPW17N80C3A D# NS-SPW17N80C3A |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
9839 |
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