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SQM110N05-06L_GE3

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SQM110N05-06L_GE3

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Numero di parte SQM110N05-06L_GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Scheda dati

SQM110N05-06L_GE3 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SQM110N05-06L_GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4440pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (D2Pak)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SQM110N05-06L_GE3

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Packing
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SQM110N05-06L_GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SQM110N05-06L_GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SQM110N05-06L_GE3 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

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Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263 (Alt: SQM110N05-06L_GE3)

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MOSFET,N CH,W DIODE,55V,110A,TO-263

522
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MOSFET,N CH,W DIODE,55V,110A,TO-263

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SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3

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2400
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MOSFET 55V 110A 158W AEC-Q101 Qualified

RoHS: Compliant
5600
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SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3

1600
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 110A I(D), 55V, 0.006OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

736
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