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| Numero di parte | SQM120N04-1M9_GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.296 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8790pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9_GE3 D# V36:1790_09219228 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9_GE3 D# SQM120N04-1M9_GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin TO-263 - Bulk (Alt: SQM120N04-1M9_GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9_GE3 D# SQM120N04-1M9_GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin TO-263 (Alt: SQM120N04-1M9_GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9_GE3 |
Vishay Intertechnologies | 444 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-CH, 30V, 120A, TO-263 |
670 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N041M9GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9_GE3 D# SQM120N04-1M9_GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 40V 120A TO263 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
1000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9-GE3 D# 2364129 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 30V, 120A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N041M9GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2856 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
600 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N041M9GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
2416 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
595 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQM120N041M9GE pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SQM120N04-1M9-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
496 |
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