Name: SSR1N60BTM_F080
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: SSR1N60BTM_F080
Availability: InStock
Rating: 5 (112 reviews)

SSR1N60BTM_F080

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Numero di parte	SSR1N60BTM_F080
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Scheda dati	SSR1N60BTM_F080 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SSR1N60BTM_F080

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	900mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SSR1N60BTM_F080

SSR1N60BTM_F080 Packaging

SSR1N60BTM_F080 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

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D# SSR1N60BTM_F080-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK

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D# NS-SSR1N60BTM_F080

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