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STB10N65K3

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Numero di parte STB10N65K3
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Scheda dati

STB10N65K3 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB10N65K3

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieSuperMESH3?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1180pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1 Ohm @ 3.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB10N65K3

STB10N65K3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that STB10N65K3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STB10N65K3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STB10N65K3?
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