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STB150N3LH6

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Numero di parte STB150N3LH6
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Scheda dati

STB150N3LH6 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB150N3LH6

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VI
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3800pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (D2Pak)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB150N3LH6

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