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STB18NM80

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Numero di parte STB18NM80
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Scheda dati

STB18NM80 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB18NM80

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieMDmesh?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2070pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs295 mOhm @ 8.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB18NM80

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Packing
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STB18NM80 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STB18NM80 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STB18NM80 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STB18NM80?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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N-Channel 80 V 0.295 Ohm Surface Mount MDMesh Power MosFet - D2PAK

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MOSFET N-channel 800 V MDMesh

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4916
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STMicroelectronics

N-Channel 80 V 0.295 Ohm Surface Mount MDMesh Power MosFet - D2PAK

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MOSFET, N CH, 800V, 17A, D2PAK

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