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STB24NM65N

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Numero di parte STB24NM65N
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB24NM65N

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieMDmesh? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB24NM65N Packaging

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Packing
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STB24NM65N FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STB24NM65N is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STB24NM65N. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STB24NM65N on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STB24NM65N products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STB24NM65N price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STB24NM65N?
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