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STB37N60DM2AG

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Numero di parte STB37N60DM2AG
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 28A
Scheda dati

STB37N60DM2AG Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB37N60DM2AG

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, MDmesh?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C28A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs110 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB37N60DM2AG

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  • 2. How does Heisener guarantee that STB37N60DM2AG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STB37N60DM2AG price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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Trans MOSFET N-CH 600V 28A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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POWER MOSFET - Tape and Reel (Alt: STB37N60DM2AG)

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MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

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MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO263

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STB37N60Dxx Series 600 V 0.110 Ohm N-Channel MDmesh™ DM2 Power Mosfet - D2PAK-3

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

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MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:28A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.094ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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