Name: STB3N62K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB3N62K3
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

STB3N62K3

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Numero di parte	STB3N62K3
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Scheda dati	STB3N62K3 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB3N62K3

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	SuperMESH3?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	620V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	385pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB3N62K3

STB3N62K3 Packaging

STB3N62K3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that STB3N62K3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the STB3N62K3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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STMicroelectronics

876

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Descrizione

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STB3N62K3

STMicroelectronics

MOSFET, N CH, 620V, 2.7A, D2PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.7A, Drain Source Voltage Vds:620V, On Resistance Rds(on):2.2ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.75V, Power , RoHS Compliant: Yes

1000

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STB3N62K3

D# 497-8476-1-ND

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MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK

2086

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VBsemi Electronics Co Ltd

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D# 2098139

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MOSFET, N CH, 620V, 2.7A, D2PAK

RoHS: Compliant

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