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STB40N60M2

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Numero di parte STB40N60M2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Scheda dati

STB40N60M2 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB40N60M2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieMDmesh? II Plus
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs88 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB40N60M2

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Sealing
Packing
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STB40N60M2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STB40N60M2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STB40N60M2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STB40N60M2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STB40N60M2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STB40N60M2 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STB40N60M2?
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Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin D2PAK T/R - Bulk (Alt: 45AC7526)

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MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-263

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N-Channel 600 V 88 mΩ 250 W Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

17850
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MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

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511
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D2PAK/N-channel 600 V, 0.078 O typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFE

11000
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