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STB60NE06L-16T4

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STB60NE06L-16T4

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Numero di parte STB60NE06L-16T4
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Scheda dati

STB60NE06L-16T4 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB60NE06L-16T4

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieSTripFET? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4150pF @ 25V
Vgs (massimo)±15V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16T4 Packaging

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STB60NE06L-16T4 FAQ

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 60A I(D), 60V, 0.016OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

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