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STB80NF03L-04-1

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Numero di parte STB80NF03L-04-1
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
Scheda dati

STB80NF03L-04-1 Scheda dati

pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche STB80NF03L-04-1

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieSTripFET? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5500pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio-60°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica STB80NF03L-04-1

STB80NF03L-04-1 Packaging

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Packing
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STB80NF03L-04-1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STB80NF03L-04-1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STB80NF03L-04-1 price and inventory displayed accurate?
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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK

540
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

RoHS: Not Compliant
0
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D# 497-12540-5-ND

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK

79
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16065
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