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STH110N10F7-6

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Numero di parte STH110N10F7-6
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Scheda dati

STH110N10F7-6 Scheda dati
pacchetto TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
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Specifiche STH110N10F7-6

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5117pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK
Pacchetto / casoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Scheda tecnica STH110N10F7-6

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  • 2. How does Heisener guarantee that STH110N10F7-6 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STH110N10F7-6 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STH110N10F7-6?
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Trans MOSFET N-CH 100V 110A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R

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