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STH110N7F6-2

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte STH110N7F6-2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STH110N7F6-2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieSTripFET? F6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)68V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5850pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2Pak-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STH110N7F6-2 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that STH110N7F6-2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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