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STH180N10F3-2

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STH180N10F3-2

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Numero di parte STH180N10F3-2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
Scheda dati

STH180N10F3-2 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
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Specifiche STH180N10F3-2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
SerieSTripFET? III
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs114.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6665pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant

Scheda tecnica STH180N10F3-2

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  • 2. How does Heisener guarantee that STH180N10F3-2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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STH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STH180N10F3-2)

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MOSFET, N CH, 100V, 120A, H2PAK

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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

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MOSFET, N CH, 100V, 120A, H2PAK

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N-Channel 100 V 4.5 mOhm Surface Mount STripFET™F3 Power Mosfet -H2PAK

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MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

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MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V RoHS Compliant: Yes

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N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin H2PAK-2 STMicroelectronics STH180N10F3-2, EA

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