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STH265N6F6-2AG

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Numero di parte STH265N6F6-2AG
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Scheda dati

STH265N6F6-2AG Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
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Specifiche STH265N6F6-2AG

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET? F6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs183nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11800pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2Pak-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant

Scheda tecnica STH265N6F6-2AG

STH265N6F6-2AG Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that STH265N6F6-2AG is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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