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STL110NS3LLH7

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Numero di parte STL110NS3LLH7
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Scheda dati
pacchetto 8-PowerSMD, Flat Leads
ECAD
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Specifiche STL110NS3LLH7

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerSMD, Flat Leads
ECAD
SerieSTripFET? H7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2110pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)4W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat? (5x6)
Pacchetto / caso8-PowerSMD, Flat Leads

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Packing
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STL110NS3LLH7 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STL110NS3LLH7. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STL110NS3LLH7 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STL110NS3LLH7 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STL110NS3LLH7 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STL110NS3LLH7?
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    (1)Inform us within 90 days
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