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STP110N55F6

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Numero di parte STP110N55F6
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N CH 55V 110A TO-220
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche STP110N55F6

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VI
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8350pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

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STP110N55F6 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STP110N55F6 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STP110N55F6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STP110N55F6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STP110N55F6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STP110N55F6 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STP110N55F6?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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