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STP21N65M5

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Numero di parte STP21N65M5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 17A TO-220
Scheda dati

STP21N65M5 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche STP21N65M5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieMDmesh? V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1950pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 8.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica STP21N65M5

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STP21N65M5 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STP21N65M5 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STP21N65M5. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STP21N65M5 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STP21N65M5 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STP21N65M5 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STP21N65M5?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STP21N65M5 we delivered, we will accept the replacement or return of the STP21N65M5 only when all of the below conditions are fulfilled:
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET, N CH, 650V, 17A, TO 220

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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5

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TO220-3/N-CHANNEL 650 V, 0159 , 17 A MDMESH V POWER MOSFET

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MOSFET, N CH, 650V, 17A, TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:650V, Continuous Drain Current Id:17A, On Resistance Rds(on):0.15ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
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17 A, 650 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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