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STS30N3LLH6

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Numero di parte STS30N3LLH6
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
Scheda dati

STS30N3LLH6 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche STS30N3LLH6

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VI
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4040pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica STS30N3LLH6

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STS30N3LLH6 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STS30N3LLH6 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STS30N3LLH6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STS30N3LLH6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STS30N3LLH6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STS30N3LLH6 price and inventory displayed accurate?
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