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STSJ100NH3LL

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Numero di parte STSJ100NH3LL
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Scheda dati

STSJ100NH3LL Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
ECAD
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Specifiche STSJ100NH3LL

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
ECAD
SerieSTripFET? III
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4450pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Scheda tecnica STSJ100NH3LL

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STSJ100NH3LL. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STSJ100NH3LL on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STSJ100NH3LL products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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