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STU6N65K3

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STU6N65K3

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Numero di parte STU6N65K3
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Scheda dati
pacchetto TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
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Specifiche STU6N65K3

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
SerieSuperMESH3?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 50V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-Pak
Pacchetto / casoTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Packing
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STU6N65K3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STU6N65K3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STU6N65K3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STU6N65K3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STU6N65K3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STU6N65K3 price and inventory displayed accurate?
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N-channel 650V, 1.1?, 5.4A Power MOSFET

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