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STW10N95K5

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STW10N95K5

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Numero di parte STW10N95K5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 950V 8A TO-247
Scheda dati

STW10N95K5 Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW10N95K5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieSuperMESH5?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)950V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs800 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW10N95K5

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Sealing
Packing
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STW10N95K5 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW10N95K5 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW10N95K5. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW10N95K5 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW10N95K5 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW10N95K5 price and inventory displayed accurate?
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MOSFET, N-CH, 950V, 8A, TO-247

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Single N-Channel 950 V 130 W 22 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3

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MOSFET, N-CH, 950V, 8A, TO-247, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:950V, Continuous Drain Current Id:8A, On Resistance Rds(on):0.65ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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