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STW18N60DM2

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Numero di parte STW18N60DM2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 12A
Scheda dati

STW18N60DM2 Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW18N60DM2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? DM2
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs295 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW18N60DM2

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STW18N60DM2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW18N60DM2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW18N60DM2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW18N60DM2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW18N60DM2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW18N60DM2 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW18N60DM2?
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Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Power Field-Effect Transistor

RoHS: Compliant
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MOSFET N-CH 600V 12A TO247

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 120
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Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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