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STW18N60M2

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Numero di parte STW18N60M2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
Scheda dati

STW18N60M2 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW18N60M2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? II Plus
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds791pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 6.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW18N60M2

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Packing
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STW18N60M2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW18N60M2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STW18N60M2 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW18N60M2?
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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: STW18N60M2)

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Power Field-Effect Transistor

RoHS: Compliant
0
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MOSFET N-CH 600V 13A TO247

41
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MOSFET, N-CH, 600V, 13A, TO-247

RoHS: Compliant
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N-Channel 600 V 0.28 Ω 110 W Flange Mount MDmesh II Plus Power Mosfet - TO-247-3

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