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STW23N80K5

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Numero di parte STW23N80K5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 800V 16A
Scheda dati

STW23N80K5 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW23N80K5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? K5
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW23N80K5

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STW23N80K5 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW23N80K5. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW23N80K5 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW23N80K5 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW23N80K5 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW23N80K5?
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MOSFET, N-CH, 800V, 16A, 150DEG C, 190W

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