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STW25N80K5

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Numero di parte STW25N80K5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
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STW25N80K5 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW25N80K5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieSuperMESH5?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs260 mOhm @ 19.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW25N80K5

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STW25N80K5 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW25N80K5. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW25N80K5 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW25N80K5 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW25N80K5 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW25N80K5?
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MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247

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MOSFET, N-CH, 800V, 19.5A, TO-247

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MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

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MOSFET, N-CH, 800V, 19.5A, TO-247, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:800V, Continuous Drain Current Id:19.5A, On Resistance Rds(on):0.19ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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N-Channel MOSFET, 19.5 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW25N80K5, PK

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