Name: STW25NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW25NM60N
Availability: InStock
Rating: 5 (158 reviews)

STW25NM60N

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Numero di parte	STW25NM60N
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
Scheda dati	STW25NM60N Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW25NM60N

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	MDmesh? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica STW25NM60N

STW25NM60N Packaging

STW25NM60N FAQ

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2. How does Heisener guarantee that STW25NM60N is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

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MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II

RoHS: Compliant

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D# XSKDRABS0055838

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TO247/N-channel 600 V, 0.13 Ohm, 21 A FDmesh II Power MOSFET

327

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Power MOSFET, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes

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N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW25NM60ND, EA

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D# 2098388

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MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO 247

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