Name: STWA45N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STWA45N65M5
Availability: InStock
Rating: 5 (186 reviews)

STWA45N65M5

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Numero di parte	STWA45N65M5
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Scheda dati	STWA45N65M5 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche STWA45N65M5

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	MDmesh? V
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3470pF @ 100V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78 mOhm @ 17.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica STWA45N65M5

STWA45N65M5 Packaging

STWA45N65M5 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that STWA45N65M5 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the STWA45N65M5 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET N-Ch 650 V 0.067 Ohm 35 A MDmesh(TM)

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MOSFET, N-CH, 650V, 35A, TO-247, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.067ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes

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