Name: SUD06N10-225L-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD06N10-225L-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

SUD06N10-225L-GE3

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Numero di parte	SUD06N10-225L-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
Scheda dati	SUD06N10-225L-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD06N10-225L-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD06N10-225L-GE3

SUD06N10-225L-GE3 Packaging

SUD06N10-225L-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Vishay Siliconix

MOSFET, N CH, 100V, 6.5A, TO-252-3

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D# SUD06N10-225L-GE3TR-ND

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MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA

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MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V RoHS Compliant: Yes

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